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公表論文> 論文> Analysis of Surface States of Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field-Effect Transistors using Drain Current Transients under Light Illumination

英語タイトル Analysis of Surface States of Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field-Effect Transistors using Drain Current Transients under Light Illumination
著者
  1. Hajime Sasaki
  2. Y. Hayashiguchi
  3. Byeongdeok Yea
  4. Tomoyuki Osaki（尾崎 知幸）
  5. Kazunori Sugahara（菅原 一孔）
  6. Ryousuke Konisi（小西 亮介）
論文誌 Japanese Journal of Applied Physics
巻 37
号 12A
ページ pp. 6348-6351
出版年 1998年12月
概要 GaAs MES-FETのゲート遅延などの重要な特性変化を引き起こす，表面準位の解析は重要な課題である．本論文では光照射時のドレイン電流の過渡特性から，GaAs MES-FETの表面準位における電荷捕獲特性を解析する手法について述べている．
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