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公表論文> 論文> Microscopic Analysis of the Degradation Mechanism of Gallium Arsenide Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor

英語タイトル Microscopic Analysis of the Degradation Mechanism of Gallium Arsenide Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor
著者
  1. Hajime Sasaki
  2. K. Hayashi
  3. T. Fujioka
  4. K. Mizuguchi
  5. Byeongdeok Yea
  6. Tomoyuki Osaki（尾崎 知幸）
  7. Kazunori Sugahara（菅原 一孔）
  8. Ryousuke Konisi（小西 亮介）
論文誌 Japanese Journal of Applied Physics
巻 37
号 8
ページ pp. 4301-4305
出版年 1998年8月
概要 ガリウム‐砒素電界効果トランジスタ(GaAs FET)の実用化のためには，GaAs結晶の凹部の劣化特性の解析が不可欠である．本論文では，長期にわたるエージング後のGaAsMES-FETの微細な劣化特性をTEM手法などの方法により解析している．
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