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公表論文> 論文> Light Emission and Surface States Annealing on GaAs Metal Semiconductor Field-Effect Transistor

英語タイトル Light Emission and Surface States Annealing on GaAs Metal Semiconductor Field-Effect Transistor
著者
  1. Hajime Sasaki
  2. M. Abe
  3. K. Hayashi
  4. T. Fujioka
  5. K. Mizuguchi
  6. Byeongdeok Yea
  7. Tomoyuki Osaki（尾崎 知幸）
  8. Kazunori Sugahara（菅原 一孔）
  9. Ryousuke Konisi（小西 亮介）
論文誌 Japanese Journal of Applied Physics
巻 37
号 2
ページ pp. 455-461
出版年 1998年2月
概要 ガリウム-砒素電界効果トランジスタ(GaAs MES‐FET)の表面準位の焼きなまし機構を熱キャリアによる発光特性と過渡ゲート電流を測定することにより評価する手法について述べている．
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