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タイトル（英語） Analysis of GaAs/SiN interface states and hot carrier annealing effects in GaAs MESFET
著者
  1. Hajime Sasaki
  2. K. Hayashi
  3. T. Fujioka
  4. K. Mizuguchi
  5. Tomoyuki Osaki（尾崎 知幸）
  6. Kazunori Sugahara（菅原 一孔）
  7. Ryousuke Konisi（小西 亮介）
  8. H. Kasada
  9. K. Ando
論文誌 Applied Surface Science
巻 117
号 118
ページ pp. 729-734
発行日 1997年8月
概要（英語） GaAs/SiN半導体のアニーリング処理が及ぼすホットキャリアの発生の変化を, MESFETのドレイン電流の変化として捉え, その機構を解明している．
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