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公表論文> 論文> Analysis of GaAs/SiN interface states and hot carrier annealing effects in GaAs MESFET

英語タイトル Analysis of GaAs/SiN interface states and hot carrier annealing effects in GaAs MESFET
著者
  1. Hajime Sasaki
  2. K. Hayashi
  3. T. Fujioka
  4. K. Mizuguchi
  5. Tomoyuki Osaki（尾崎 知幸）
  6. Kazunori Sugahara（菅原 一孔）
  7. Ryousuke Konisi（小西 亮介）
  8. H. Kasada
  9. K. Ando
論文誌 Applied Surface Science
巻 117
号 118
ページ pp. 729-734
出版年 1997年8月
概要 GaAs/SiN半導体のアニーリング処理が及ぼすホットキャリアの発生の変化を, MESFETのドレイン電流の変化として捉え, その機構を解明している．
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