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公表論文> 論文> Decrease in Surface States on GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor by High Temperature Operation

英語タイトル Decrease in Surface States on GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor by High Temperature Operation
著者
  1. Hajime Sasaki
  2. K. Hayashi
  3. T. Fujioka
  4. K. Mizuguchi
  5. Byeongdeok Yea
  6. Tomoyuki Osaki（尾崎 知幸）
  7. Kazunori Sugahara（菅原 一孔）
  8. Ryousuke Konisi（小西 亮介）
  9. H. Kasada
  10. K. Ando
論文誌 Japanese Journal of Applied Physics
巻 36
号 4A
ページ pp. 2068-2072
出版年 1997年4月
概要 GaAs MES FETの劣化機構を解明するために, 高温における動作時での半導体表面準位の劣化機構の解明を行っている．
ファイル BibTeX